力旺電子攜手聯華電子推出新興非揮發記憶體ReRAM矽智財
2021å¹´11æ4æ¥ï¼å ±2é
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ãReRAMç½æºè²¡æ¼è¯é» 40nm 1.1V/2.5V è¶ ä½åè (ULP) 製ç¨çéç¼ä»¥ååä¸ å»¶ä¼¸è³22nm ULP製ç¨è¨åï¼æåå±ç¾å ©å®¶å ¬å¸å°æ°èè¨æ¶é«ç¢åæªä¾ç¼å±æ§çä¿¡å¿ããè¯é»ç½æºè²¡ç ç¼æ¨è¨è¨æ¯æ´èæåæ èé·è¡¨ç¤ºï¼ãèåæºçå使婿¼é²ä¸æ¥è±å¯æåçç¹æ®è£½ç¨æè¡çµåï¼æåé è¨ReRAMç½æºè²¡å°å¯ä»¥æåæå ¥éè¦çæ°å¸å ´ãã
ReRAM æ¯ä¸ç¨®æ°èçéæ®ç¼è¨æ¶é« (NVM) æè¡ï¼å ·æçµæ§ç°¡å®ã容æå¨æ¶åä»£å·¥å» çç¢ä¸¦æ´åè³CMOSå¹³å°ä»¥å滿足é«éä½åèéä½ç諸å¤åªé»ãåæºçReRAMå¯çºå¾®æ§å¶å¨å黿ºç®¡çICæä¾ä»£ç¢¼å²å(code storage)åè½ãçºä½åèæä¾¿æå¼ç©è¯ç¶²è¨å䏿便¥æ¾è¡¨(lookup table)ï¼ä¸¦é²ä¸æ¥æç¨æ¼è¨æ¶é«å §éç®ï¼CIMï¼èäººå·¥æºæ §(AI)çé åã
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åæºèè¯é»ææåä½çæ¤4Mb ReRAMç½æºè²¡æè¡ä¿å¾æ¥æ¬æ¾ä¸åå°é«åå¾æè¡ææ¬ï¼å ·å16Kbè³è¨åå¡ãæ¶ç修復ãé¯èª¤æª¢æ¸¬åç³¾æ£çåè½ï¼ä¸¦å¯æ¯æ´é«é125°Cç工使º«åº¦ï¼ä¸å å¯ç¨æ¼æ¶è²»æ§é»åæ´é©ç¨æ¼å·¥æ¥æç¨é åã
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