力旺晶片指紋IP已於聯電高階製程平台完成驗證

【新竹訊】力旺電子今日宣布，該公司最新晶片指紋IP 「NeoPUF」已成功布建至聯電的高階製程平台。這項IP是利用每顆晶片獨一無二的物理特徵發展而出，非常適合應用於物聯網及資料中心等高安全需求領域的硬體保護。

力旺表示，NeoPUF已完成聯電的28奈米 HPC+製程平台的設計定案 (tape out)。另外，這項IP也已經獲得聯電55奈米ULP平台的驗證(verification)，聯電55奈米ULP eFlash平台的驗證預期也將於近期完成。

晶片資安日益受到重視，而物理性不可複製功能(Physical Unclonable Functions，PUF)因具有「獨一無二」且「無法預測」的特點，近年來則廣泛被用於各種安全應用領域。晶片製造過程中，難免會產生一些細微的差異，這些製程變異會造成晶片表面的物理變化，就形成所謂的「晶片指紋」。

晶片指紋是每顆晶片獨一無二、無法複製的ID，可作為硬體的安全信任根(root of trust)。在嵌入NeoPUF後，晶片本身將獲得最根本的保護；物聯網裝置也能透過有使用NeoPUF IP的晶片，取得獨一無二的ID，確保從製造生產到啟用，乃至長期運作等各個階段的安全性。

力旺的NeoPUF技術取自CMOS標準邏輯元件，可廣泛用於各種邏輯製程，而且不需要昂貴的錯誤校正措施(Error Correction)。在實際應用上，NeoPUF IP可被用於設計成安全認證、加密及安全金鑰等各種安全功能。

力旺和聯電這次合作將使得客戶可在聯電的製程平台上採用NeoPUF IP，藉此在產品設計中加入安全元件，因應物聯網蓬勃發展市場對晶片資安之需求。

聯華電子的矽智財研發暨設計支援處林子惠處長表示：「力旺的NeoPUF IP是有助於我們的客戶因應物聯網等資安市場需求，頗受歡迎的一個資源。我們對於這項IP合作的結果感到十分滿意，且此IP將能嘉惠聯電的客戶于28nm HPC+、55nm ULP和55nm ULP eFlash等製程平台採用NeoPUF，解決高性能和超低功耗要求的物聯網應用解決方案。」

力旺業務發展處副總經理何明洲表示：「NeoPUF可以提供客戶全面的安全保護及競爭優勢，我們很高興與聯電合作，將這項IP布建至28nm HPC+、55nm ULP和55nm ULP eFlash等製程平台。」

PUF過去常用於政府及軍方資料中心這類安全要求極高的領域，現在也漸漸被用於物聯網及民間資料中心的硬體保護。

傳統PUF安全解決方案常因技術不夠穩定，必須要靠錯誤校正彌補PUF結果的穩定性，但也因此增加不少成本。力旺的NeoPUF透過創新技術可以解決這個問題，更具經濟效益。NeoPUFçš„PUF結果經測試證明能在-40°C到+125°C之間，甚至超過125°C，均呈現相當穩定的表現。

此外，NeoPUF能從晶片製程變異衍生的IC物理特徵淬取出高達1024 kbits的隨機亂碼，作為加密及產生安全金鑰之用。使用者可以在此龐大的隨機亂碼中，彈性選擇他們產生金鑰的方式。

關於力旺電子

力旺電子(股票代碼:3529)成立於2000年8月，專注於邏輯製程嵌入式非揮發性記憶體矽智財開發。自成立迄今，力旺電子投入研發自有創新技術，開發出NeoBit(一次性與多次性讀寫編程元件)、NeoFuse(一次性與多次性讀寫編程元件)、NeoMTP(一千次以上重複讀寫編程元件)、NeoFlash(一萬次以上重複讀寫編程元件)、NeoEE(十萬次以上重複讀寫編程元件)等領先性產品，並持續發展先進技術，致力於提供客戶廣泛的矽智財技術服務、非揮發性記憶體元件與嵌入式記憶體應用等，為全方位之嵌入式非揮發性記憶體矽智財供應商。如需取得更多力旺相關資料，請參見官方網站：www.ememory.com.tw.

關於聯華電子

聯華電子（紐約證券交易所股票代碼：UMC，TWSE：2303）身為半導體晶圓專工業界的領導者，提供先進製程與晶圓製造服務，為IC產業各項主要應用產品生產晶片。聯電完整的解決方案能讓晶片設計公司利用尖端製程的優勢，包括28奈米Poly-SiON技術、High-K/Metal Gate後閘極技術、14奈米量產、超低功耗且專為物聯網（IoT）應用設計的製程平台以及具汽車行業最高評級的AEC-Q100 Grade-0製造能力，用於生產汽車中的IC。 聯電現共有十一座晶圓廠，遍及亞洲各地，每月可生產超過60萬片晶圓。聯電在全球超過19,000名員工，在台灣、日本、韓國、中國、新加坡、歐洲及美國均設有服務據點，以滿足全球客戶的需求。