sureCore 的 28 纳米 FDSOI 内存编译器浓重上市

它不仅可以将静态功耗降低 35%，而且其动态节能率高达 50% 以上。

2016 年 1 月 19日，英国谢菲尔德。低能耗 SRAM IP 业的领袖 sureCore Ltd. 今天宣布：用户可以立即买到该公司生产的 28 纳米全耗尽硅绝缘子 (FDSOI) 内存编译器。

这款编译器支持该公司推出的、适用于 28 纳米 FDSOI 处理技术的低能耗单端口 SRAM IP 和双端口 SRAM IP。其容量高达 1 兆比特，字长高达 288 比特，并且支持 Mux 因子 4、8 及 16

sureCore 单端口 SRAM IP 支持 0.6-1.2V 的工作电压。与当前市场上出售的同类产品相比，本产品的动态节能率超过 50%。本产品还能在面积损失 <10% 的情况下，将静态功耗降低 35%

这款 sureCore 编译器允许设计人员针对字数、字长和多路复用因子，在不同 SRAM 容量间进行权衡调整。它自动生成数据表、模拟 (Verilog)、布局 (LEF) 和定时/动力 (Liberty) 模式，以便强化和加速设计流程

“作为 sureCore 发展史的一个重要里程碑，这款新推出的编程器以实践证明：SoC 设计界现在可以利用我们开发的节能科技。该产品的诞生标志着低功耗电子产品已经进入新纪元。”sureCore 董事长 Guillaume d'Eyssautier 如是说。

sureCore 的硅验证 28 纳米 FDSOI IP 的目标应用领域包括 IoT，以及在最低工作与备用动力性能的前提下要求电池具有较长使用寿命的其它应用领域。对于动力和散热性能具有举重轻重之意义的网络空间，该 IP 同样具有可观的价值。

2016 年 3 月，sureCore 将继当前这款 28 纳米 FDSOI 编程器之后，再推出一款以领先的铸造工艺为目标的 40 纳米超低能耗编程器。除此之外，该公司的产品发展蓝图还包括：在明年下半年推出一款 40 纳米 CMOS 超低能耗 SRAM。他们也将继续开发一款 28纳米 CMOS 解决方案。

sureCore 的 CEO Paul Wells 表示：“相对比较成熟的生产节点目前仍在涌现大量的革新。随着 IoT 市场的不断增长，像 40 纳米和 28 纳米这样的成熟节点将会具有延长的市场寿命。因为对于应对 IoT 技术和商业挑战而言，其性价比具有理想的竞争优势。”

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