苏州国芯C9000处理器芯片在中芯国际28nm工艺成功实现流片验证
Related Semiconductor IP
- TSMC 7nm 0V75 / 0V9 ESD Local Clamp – Low Cap
- TSMC 65nm 3V3 ESD Local Clamp – Rad Hard
- TSMC 5nm 1V8, 1.2V and 0.9V ESD Local Protection – Low Cap
- TSMC 3nm 3V3 ESD Local Clamp
- TSMC 3nm 1V2 ESD Local Clamp – Low Capacitance
Related News
- 中芯国际推出28纳米HKMG制程 与联芯打造智能手机SoC芯片
- Cadence 与 SMIC 联合发布低功耗 28纳米数字设计参考流程
- 瑞典软件制造商IAR Systems的开发工具助力Fraunhofer IPMS用于功能安全的 RISC-V 处理器内核
- 高云半导体推出ISP(图像信号处理器)IP 核以及相关解决方案