7nm网络平台为数据中心ASIC芯片提供前所未有的性能和可配置性
eSilicon设立了新的高效芯片设计标准以支持下一代超大规模数据中心
2018年6月 26 -- eSilicon是一个专注于FinFET级ASIC设计,特定市场IP平台的开发和先进2.5D封装解决方案的ASIC芯片供应商。2018年6月 26 日eSilicon刚刚宣布推出一套完整的基于7nm工艺的可高度配置的IP平台,该平台主要专注于网络和数据中心两个应用的芯片市场。
对于系统OEM厂商来说,能拥有满足功耗,性能和密度等所有的要求先进的网络 ASIC芯片一直是他们所面临的重大挑战能之一。为了达到商业上可接受的功率和密度等所需的性能, 新一代12.8, 25.6和51.2 Tb / s的交换机和路由器要求系统架构,IO带宽和内存子系统上具有极高的灵活性。eSilicon 7nm IP平台以此为解决目的并提供了一个完整的网络优化IP生态系统,其设计的可配置性很高。平台中的所有IP都是“即插即用”,它们使用相同的工艺金属层数,拥有同样的可靠性要求,操作温度范围,以及相同的控制接口和DFT方法等。这种可配置性和兼容性会给客户的产品带来更好的性能,更高的密度并且确保其在更快的时间里进入市场。
该平台包括高性能且极具灵活度的56G和112G 高速SerDes,三态内容寻址存储器(TCAM)编译器,可编程高带宽第二代存储器PHY(HBM2),多个网络优化存储器编译器以及扩展电压通用接口和LVDS接口。除了ESilicon内部开发的IP之外,该平台还兼容相关IP合作单位的IP,比如PCIe PHY,控制器,PLL和PVT监视器等等,而且全部能即插即用。
平台的核心是eSilicon的SerDes技术,该IP基于新型DSP架构,有卓越的性能且具多功能性。目前拥有的两个7nm PHY分别支持56G和112G NRZ / PAM4操作,为服务器,光纤和线卡应用提供最佳的功效。该架构为真正的长距离信道提供前所未有的功耗效率,无孔(hole-free)操作可降至1Gb 每秒。它的时钟架构具有极高的灵活性和试配性,可支持每个SerDes通道的多链路和多速率操作, 以及以太网和光纤通道在内的多种协议。 针对更短距离的信道, 该架构还可以进一步降低功耗。
除了上面所提的卓越的性能和多功能性外,eSilicon的SerDes技术还为ASIC设计和信号综合提供便利。eSilicon将十多年来把复杂SerDes集成到网络ASIC中的经验和知识整合到了SerDes IP系列的开发中, 所推出的SerDes以客户为中心,易于集成且易于使用。
eSilicon已经交付了12世代TCAM技术,该IP一直是顶级网络供应商的首选。目前的7nm编译器支持部分流水线搜索的低功耗操作,从而实现前所未有的节能效果。同时, BIST增强功能可通过软编程实现更快的设计和仿真周期。特有的专利Duo架构和双周期读/写架构为大型网络ASIC进一步缩小了面积和功耗。
HBM2 PHY充分利用了eSilicon长期以来开发高带宽,高弹性和高功效PHY的经验,帮助解决了现代网络交换机和路由器的存储器带宽需求。 eSilicon的HBM2 PHY能最大限度地减少开关噪声和占空比失真,给客户提供了一个强大并无风险的解决方案。 该HBM PHY是一独立的的被硬化了的核, 用户可对其编程并连它到芯片架构上。IP利用驱动强度校准来实现最大的眼图张开和抖动的降低以及专用电路培训和通道修复,从而缩短了产品面市的时间。特别值得一提的是, eSilicon还提供2.5D HBM封装增强包服务:eSilicon 拥有七年的2.5D设计和集成经验,该封装增强包可轻松集成HBM2 PHY和相关的HBM2 DRAM颗粒。
言而总之,该平台是由一系列高速和超高密度存储器编译器,寄存器文件和锁存器的编译器而组成,平台针对网络芯片所需,在超高密度和性能上进行独特的优化并做到极限。如果客户需要最佳的DFT覆盖率,嵌入式BIST是一个很多的选择,它能节省大型存储器的面积,并减少设计人员在综合,时序收敛和布线拥塞方面的工作量。平台还包含了针对网络芯片应用进行优化了的扩展电压和LVDS 接口。
eSilicon战略和产品部副总裁Hugh Durdan说, “网络应用在速度在25Tb 每秒及以上的时候,就需要一个可配置的架构来快速协调功耗,性能和密度等各方面的要求。我们的7nm平台现在为这些设计挑战提供了一个完整而强大的解决方案,这归功于其极其可配置性的方案。 该方案可以让更多系统OEM厂商有更大的可能性进入超大规模数据中心芯片领域。”
目前已经有多家顶级的系统OEM厂商正为他们的下一代产品积极评估eSilicon的7nm平台。
欲了解更多信息,请联系您的eSilicon销售代表或访问eSilicon的7nm IP网络平台网页。
另外,eSilicon还新添了最近刚推出的用于机器学习的ASIC设计的7nm neuASICä平台。
关于eSilicon
eSilicon是ASIC芯片设计的独立供应商,它主要致力于FinFET级的大规模ASIC芯片的设计,并有自己开发的针对特定市场的I P平台以及先进2.5D封装解决方案。我们的ASIC + IP协同方案使我们在16/14 / 7nm 等FinFET工艺上都有自己的IP,比如, 2.5D/HBM2和TCAM ,以及SerDes,记忆体编译器和I /O接口等等。凭借特有的专利和优化技术,eSilicon为高带宽网络,高性能计算,人工智能(AI)和5G基础设施市场提供透明,协作和灵活有弹性的客户体验。 www.esilicon.com
Related Semiconductor IP
- RISC-V CPU IP
- AES GCM IP Core
- High Speed Ethernet Quad 10G to 100G PCS
- High Speed Ethernet Gen-2 Quad 100G PCS IP
- High Speed Ethernet 4/2/1-Lane 100G PCS
Related News
- eSilicon宣布7nm FinFET ASIC设计案
- eSilicon宣布7nm 56G SerdS已经经过硅验证
- eSilicon 56G长距离7nm DSP SerDes现可授权
- eSilicon推出7nm 400G變速箱/重定時器測試ASIC