华虹半导体持续打造卓越eNVM工艺平台
馿¸¯, 2020å¹´7æ20æ¥ - å ¨çé¢å çç¹è²å·¥èºçº¯æ¶å代工ä¼ä¸——åè¹å坼使éå ¬å¸ï¼“åè¹å导佔æ“å ¬å¸”ï¼è¡ä»½ä»£å·ï¼1347.HKï¼å®£å¸ï¼å ¶95纳米SONOSï¼Silicon Oxide Nitride Oxide Siliconï¼åµå ¥å¼éæå¤±æ§åå¨å¨ï¼eNVMï¼Embedded Non-Volatile Memoryï¼å·¥èºå¹³å°éè¿ä¸æçåæ°åçº§ï¼ææ¯ä¼å¿è¿ä¸æ¥å¢å¼ºï¼å¯é æ§ç¸åºå¤§å¹ æåã
åè¹å导ä½95纳米SONOS eNVMå·¥èºææ¯å¹¿æ³åºç¨äºå¾®æ§å¶å¨ï¼MCUï¼ãç©èç½ï¼IoTï¼çé¢åï¼å ·æç¨³å®æ§å¥½ãå¯é æ§é«ãåèä½çä¼ç¹ãç¸å¯¹ä¸ä¸ä»£ææ¯ï¼95纳米SONOS eNVM 5Vå·¥èºå®ç°äºæ´å°è®¾è®¡è§åï¼è·å¾äºå类产åè¯çé¢ç§¯ç缩å°ï¼é»è¾é¨åè¯çé¨å¯åº¦è¾ç°æä¸çåç±»å·¥èºæåè¶ è¿40%ï¼è¾¾å°ä¸çé¢å æ°´å¹³ï¼æéå ç½©å±æ°è¾å°ï¼è½å¤æä¾æ´å ·ææ¬æççè§£å³æ¹æ¡ãåæ¶ï¼95纳米SONOS eNVM 5Vå·¥èºå ·ææ´é«éæåº¦åé¢å çå¨ä»¶æ§è½ï¼åå¨ä»è´¨æ¦/åç¹æ§è¾¾å°äº2毫ç§çå è¿æ°´å¹³ï¼ä½åèå¨ä»¶é©±å¨è½åæé«20%ï¼ä» ç¨5Vå¨ä»¶å¯ä»¥è¦ç1.7Vè³5.5Vç宽çµååºç¨ã
åè¹åå¯¼ä½æç»æ·±èï¼95纳米SONOS eNVMéç¨å ¨æ°çåå¨å¨ç»æä»¥åä¼åæä½çµåï¼å¤§å¤§æé«äºéå¼çµåççªå£ãå¨ç¸åæµè¯æ¡ä»¶ä¸ï¼SONOS IPçæ¦åè½åè¾¾å°1000䏿¬¡ï¼å¯é æ§æå20åï¼å¨85âæ¡ä»¶ä¸ï¼æ°æ®ä¿æè½åå¯é¿è¾¾30å¹´ï¼å¤äºå½é é¢å æ°´å¹³ãåè¹å导ä½è´åäºæç»ä¼åå·¥èºæ°´å¹³ï¼å¨æåæ°æ®ä¿æè½åæ¡ä»¶ä¸ï¼åæ¶æåæ¦åæ¬¡æ°ï¼æ´å¥½å°æ»¡è¶³å¸åºå¯¹è¶ é«å¯é æ§äº§åçéæ±ã
æ¤å¤ï¼éçé«å¯é æ§å·¥èºå¹³å°åè¡çå·¥èºåå°éçï¼å ¬å¸åºäºSONOSå·¥èºçeNVMæ´å¯ä»¥æ¶µçMTPï¼Multi-Time Programmable Memoryï¼åºç¨ãéè¿ç®å设计ãä¼åIPé¢ç§¯ååå°æµè¯æ¶é´çï¼å¨IPé¢ç§¯ãæµè¯æ¶é´ã使ç¨åè忦åè½å䏿¯MTPæ§è½æ´ä¼ï¼æ´å ·ç«äºåã卿¤åºç¡ä¸å¢å é å¥çå¯éå¨ä»¶ï¼è¿ä¸æ¥æ»¡è¶³çµæºç®¡çåRF类产åçéæ±ã
åè¹å坼使§è¡å¯æ»è£åèç¶å士表示3åµå ¥å¼éæå¤±æ§åå¨å¨ææ¯åæ¥æ¯åè¹å导ä½ç ‘çç’ä¹ä¸ï¼ä¸ç´ä¿æçä¸çé¢å å°ä½ï¼ä¸ºå¹¿å¤§MCUå®¢æ·æä¾äºçµæ´»å¤æ ·çææ¯å¹³å°ã娑8è±å¯¸+12è±å¯¸’æç¥å®ä½çæå¼ä¸ï¼å ¬å¸å¨8è±å¯¸å¹³å°ä¸ï¼éè¿ç¼©å°åå¨åå IPé¢ç§¯ãåå°å ç½©å±æ°çæ¹å¼æ¥è¿ä¸æ¥å¼ºååµå ¥å¼éªåææ¯å·¥èºï¼åæ¶ï¼æä»¬åæ¥12è±å¯¸å¹³å°æ´å°çº¿å®½ç¹æ§ï¼æé 髿§è½çåµå ¥å¼éæå¤±æ§åå¨å¨å·¥èºææ¯å¹³å°ï¼å¨å·©åºæºè½å¡è¯çå¶é é¢èªè å°ä½çåæ¶ï¼æ»¡è¶³ç©èç½ãMCUãæ±½è½¦çµåçé«å¢é¿çå¸åºéæ±ã”
å ³äºåè¹å导ä½
åè¹å坼使éå ¬å¸ï¼“åè¹å导佔ï¼è¡ä»½ä»£å·ï¼1347.HKï¼ï¼“æ¬å ¬å¸”ï¼æ¯å ¨çé¢å çç¹è²å·¥èºçº¯æ¶å代工ä¼ä¸ï¼ç¹å«ä¸æ³¨äºåµå ¥å¼éæå¤±æ§åå¨å¨ãåçå¨ä»¶ã模æåçµæºç®¡çåé»è¾åå°é¢çç¹è²å·¥èºå¹³å°ï¼å ¶åè¶çè´¨é管çä½ç³»äº¦æ»¡è¶³æ±½è½¦çµåè¯çç产ç严èè¦æ±ãæ¬å ¬å¸æ¯åè¹éå¢çä¸åï¼èåè¹é墿¯ä»¥éæçµè·¯å¶é 为主ä¸ï¼æ¥æ8+12è±å¯¸ç产线å è¿å·¥èºææ¯çä¼ä¸éå¢ã
æ¬å ¬å¸å¨ä¸æµ·éæ¡¥åå¼ æ±å»ºæä¸åº§8è±å¯¸æ¶ååï¼åè¹ä¸åãäºååä¸åï¼ï¼æäº§è½çº¦18ä¸çï¼åæ¶å¨æ é¡é«æ°ææ¯äº§ä¸å¼ååºå 建æä¸åº§12è±å¯¸æ¶ååï¼åè¹ä¸åï¼ï¼æäº§è½è§å为4ä¸çãåè¹ä¸åäº2019å¹´æ£å¼è½æå¹¶è¿å ¥ç产è¿è¥æï¼æä¸ºä¸å½å¤§éé¢å ç12è±å¯¸ç¹è²å·¥èºç产线ï¼ä¹æ¯å¤§éç¬¬ä¸æ¡12è±å¯¸åçå¨ä»¶ä»£å·¥ç产线ã
妿¬²å徿´å¤å
¬å¸ç¸å
³èµæï¼è¯·æµè§ï¼www.huahonggrace.com
Related Semiconductor IP
- NVM OTP in Huali (40nm, 28nm)
- NVM OTP in Tower (180nm, 110nm)
- NVM OTP in GF (180nm, 130nm, 65nm, 55nm, 40nm, 28nm, 22nm, 12nm)
- NVM MTP in Samsung (130nm)
- NVM MTP in GF (180nm, 55nm)
Related News
- 华虹半导体与灵动微电合作开发应用于物联网的系列IP
- 华虹半导体90纳米嵌入式闪存工艺平台成功量产
- Europractice合作协助欧洲IC产业创新
- 力旺电子将于TSMC 7nm制程推出安全防护功能更强的内存硅智财