力旺二代MTP佈局Dongbu Hitek BCD製程平台 專攻電源管理應用

2018年8月7日，共2頁

【新竹訊】力旺電子今日宣佈，其第二代嵌入式可多次編寫(Multiple-Times Programmable，MTP)記憶體矽智財NeoMTP已於Dongbu Hitek 0.18um BCD製程完成佈局，專攻電源管理IC，因應日益增加的無線充電和USB Type C應用之需求。二代MTP記憶體面積縮小超過40%，提供更具經濟效益的解決方案，目前已有客戶完成產品設計定案(Tape-out)並且即將進入量產(Mass Production)。

力旺在Dongbu Hitek 0.18um BCD製程開發的NeoMTP矽智財擁有可在車規要求的溫度區間(-40°C~150°C)編寫達1,000次，且能在125°çš„高溫下維持10年以上的資料留存的優異性能，同時，其2.6V-5.5V優於一般工作範圍的操作電壓區間及低功耗、高速讀取等特性，有利於客戶在產品設計上具備彈性及競爭力，並在無線充電和USB Type C等快速成長的市場享有明顯的優勢。

Dongbu Hitek行銷副總Benjamin Sun表示：「力旺電子的嵌入式非揮發性記憶體解決方案有助於該公司在BCDMOS製程提供更完整的解決方案，為先進的類比與電源控制設計提供良好的基礎及最佳化其成本效能。」

力旺業務發展處副總經理何明洲表示：「非揮發性記憶體已經是BCD平台不可或缺的一項解決方案，我們很高興與Dongbu Hitek合作，提供力旺的NeoMTP技術，成為客戶卡位PMIC應用商機的最佳合作夥伴。」

力旺NeoMTP技術是目前業界最具成本效益的嵌入式MTP方案，IC設計廠商使用NeoMTP矽智財不僅可延長產品生命週期，而且可擴大產品之應用範圍。無線充電器可藉由嵌入NeoMTP IP而允許頻繁修改內設之電源開關順序、輸出電流及溫度控制等規格參數，以達到產品最佳化之目的；此外，採用NeoMTP也可以讓USB Type C進行多次軟體及產品功能更新。

力旺與Dongbu Hitek自2008年長期合作以來，一直保持良好且密切的關係，除嵌入式可多次編寫記憶體矽智財外，可一次編寫(One-Times Programmable，OTP)記憶體矽智財NeoBit和NeoFuse亦於Dongbu Hitek不同製程平台完成佈局，為不同應用之客戶提供彈性多元選擇。未來雙方將攜手更進一步合作，以滿足更多客戶需求，使客戶產品更具備市場競爭力。

關於力旺電子

力旺電子(3529)是全球第七大半導體矽智財供應商，專精嵌入式Hard IP設計。自2000年成立以來，力旺持續提供全球1,300多家晶圓廠、整合元件廠和IC設計公司一流的矽智財解決方案。自台積公司2010年創設「IP Partner Award」以來，力旺每年都以卓越的IP設計及服務獲得此一獎項的肯定。

力旺在全球嵌入式非揮發性記憶體市場(embedded Non-volatile Memory)位居領導地位，其eNVM解決方案廣泛布建於全球主要晶圓廠製程，涵蓋製程技術之廣位居業界之冠。此外，力旺也領先業界以矽晶圓生物特徵開發其特有的晶片安全矽智財。

力旺的eNVM 矽智財系列包括可一次編寫記憶體 (NeoBit/NeoFuse)和可多次編寫記憶體 (NeoMTP/NeoFlash/NeoEE)，以及晶片安全矽智財NeoPUF。

更多力旺電子訊息，請見公司官網 www.ememory.com.tw 。

關於東部高科

東部高科(Dongbu HiTek)專長於類比(Analog)與電源處理(Power Processing)技術，透過發展BCDMOS, Mixed-Signal, High Voltage CMOS, CMOS Image Sensor, Embedded Flash, MEMS and SJ MOSFET等技術平台，創造高附加價值的先進晶片。其中最一流BCDMOS技術製造的電源管理晶片更廣泛應用於消費性電子產品、通訊電子、車用電子與工業系統等領域。目前製程平台從0.35微米至90奈米均有佈建，提供世界一流之設計支援，包括各式IP與設計庫(design libraries)、製程設計套件(Process design kits)與原型驗證(prototype verification)。東部高科總部位於南韓，股票代號為000990。

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