力旺电子嵌入式可多次编写NeoMTP成功导入格芯130nm BCDLite®及BCD

工艺平台专攻车用市场

【新竹讯】-- 2018年12月17日，共2页 -- 力旺电子今日宣布，其嵌入式可多次编写(Multiple-Times Programmable，MTP)内存硅智财NeoMTP已成功导入格芯130nm BCD与BCDLite工艺平台，专攻消费性及车用市场，以及日益增加的无线充电和USB Type C应用之需求。

力旺目前在格芯130nm BCD与BCDLite工艺平台开发的NeoMTP硅智财皆符合车规验证标准AEC-Q100 Grade 1，并将进一步在已验证之平台布局升级版的二代NeoMTP，于不同的平台分别提供符合车规验证标准AEC-Q100 Grade 1与AEC-Q100 Grade 0之二代NeoMTP。

符合AEC-Q100 Grade 1之NeoMTP操作温度可达150°C，在温度区间(-40°C~150°C)编写达1,000次，并能在125°C的高温下维持10年以上的数据留存之优异性能，同时，其2.5V-5.5V优于一般工作范围的操作电压区间及低功耗、高速读取等特性，有利于客户在产品设计上具备弹性及竞争力，未来符合AEC-Q100 Grade 0之NeoMTP操作温度更可高达175°C。

力旺NeoMTP技术是目前业界最具成本效益的嵌入式MTP (Multiple-Times Programmable)方案，其二代MTP内存面积更是缩小超过40%，IC设计厂商使用NeoMTP硅智财不仅可延长产品生命周期，而且可扩大产品之应用范围。无线充电器可藉由嵌入NeoMTP IP而允许频繁修改内设之电源开关顺序、输出电流及温度控制等规格参数，以达到产品优化之目的；此外，采用NeoMTP也可以让USB Type C进行多次软件及产品功能更新。

格芯生态系统合作伙伴关系副总裁Mark Ireland表示：「力旺电子与格芯长期以来一直密切合作，致力于创新科技并协助客户在量产工艺取得成功。我们预期这次与力旺在130nm BCDLite和BCD工艺平台合作导入NeoMTP，将为我们的共同客户带来更好的经济效益与设计上的弹性。」

力旺业务发展处副总经理何明洲表示：「我们很开心能够与格芯合作，在130nm BCDLite和BCD工艺平台的布局从一代NeoMTP延伸至二代NeoMTP，提供我们的客户更优异的规格，预计能协助客户在消费性电子及车用市场抢得先机。」

力旺电子与格芯长期在各个不同制程平台都有紧密合作，提供高可度及更具经济效益的硅智材解决方案以响应客户不同之需求。力旺电子的二代NeoMTP在BCDlite及BCD工艺平台预计将于2019年完成可靠度验证。

关于力旺电子

力旺电子(3529)是全球第七大半导体硅智财供货商，专精嵌入式Hard IP设计。自2000年成立以来，力旺持续提供全球1,300多家晶圆厂、整合组件厂和IC设计公司一流的硅智财解决方案。自台积公司2010年创设「IP Partner Award」以来，力旺每年都以卓越的IP设计及服务获得此一奖项的肯定。

力旺在全球嵌入式非挥发性内存市场(embedded Non-volatile Memory)位居领导地位，其eNVM解决方案广泛布建于全球主要晶圆厂制程，涵盖工艺技术之广位居业界之冠。此外，力旺也领先业界以硅晶圆生物特征开发其特有的芯片安全硅智财。

力旺的eNVM 硅智财系列包括可一次编写内存 (NeoBit/NeoFuse)、可多次编写内存 (NeoMTP/NeoFlash/NeoEE)以及芯片安全硅智财NeoPUF。

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