OTP硅智财成功导入22FDX工艺

【新竹讯】力旺电子今天宣布其一次可编程(OTP)内存硅智财NeoFuse成功导入22奈米全空乏绝缘上覆硅(fully-depleted silicon-on-insulator，FD-SOI)工艺平台(22FDX)，NeoFuse技术继在FinFET工艺平台完成验证后，再次于FD-SOI工艺证明其优异的特性。

NeoFuse解决方案具有低功耗、高可靠度、高安全防护、接口简易及高弹性等特性，目前已与全球各大晶圆厂合作导入至多项先进工艺平台。

力旺此次推出具有竞争力的OTP硅智财将有助强化22FDX平台，提升行动装置、物联网及RF连接等市场多元应用。预计在22FDX平台上使用这项解决方案的客户将能因此受惠，创造竞争优势。

力旺业务发展中心副总经理何明洲表示:「NeoFuse能够为客户创造竞争优势，我们很高兴能与世界级的代工厂合作，将这项硅智财方案的工艺布局延伸至22FDX平台。」

目前业界在先进工艺的OTP技术需要多次的写入动作才能完成，力旺电子NeoFuse技术可确实做到「一次」将资料成功写入，不仅可降低客户的测试成本，也能提高可靠度。

此外，力旺电子NeoFuse技术可于超低电压操作，系统于启动最初阶段即可开始动作以提供芯片的安全认证，特别适用于智能卡、行动支付及物联网等应用，并具有低漏电及优于一般的面积成本优势。

力旺更预计在22FDX平台进一步推出新的NeoFuse硅智财规格，提供低至0.5V之操作电压，以满足更多客户推出低功耗物联网产品的需求，预计将于2019年第一季完成设计定案(Tape-out), 并于2019年第三季完成可靠度验证。

关于力旺电子

力旺电子(3529)是全球第七大半导体硅智财供货商，专精嵌入式Hard IP设计。自2000年成立以来，力旺持续提供全球1,300多家晶圆厂、整合组件厂和IC设计公司一流的硅智财解决方案。自台积公司2010年创设「IP Partner Award」以来，力旺每年都以卓越的IP设计及服务获得此一奖项的肯定。

力旺在全球嵌入式非挥发性内存市场(embedded Non-volatile Memory)位居领导地位，其eNVM解决方案广泛布建于全球主要晶圆厂工艺，涵盖工艺技术之广位居业界之冠。此外，力旺也领先业界以硅晶圆生物特征开发其特有的芯片安全硅智财。

力旺的eNVM 硅智财系列包括可一次编写内存 (NeoBit/NeoFuse)和可多次编写内存 (NeoMTP/NeoFlash/NeoEE)，以及芯片安全硅智财NeoPUF。

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